纏繞膜按照其使用方式可分為機用纏繞膜和手用纏繞膜，制備纏繞膜材料的方法有多種，下面我們先來看看化學氣相沉積法、真空熱鍵法這兩種方法的介紹：

　　1、化學氣相沉積法

　　化學氣相沉積（CVD）是一種材料的合成工藝，蒸汽原子或分子被輸送到基體表面附近，在基體表面生成化學反應，形成與原材料化學成分不同的機用纏繞膜。

　　復合蒸氣一般是一種在室溫下具有高蒸氣壓的氣體，主要使用碳氧化物、氧化物、鹵化物、金屬化合物等，化學氣相沉積（CVD）材料種類繁多，除堿金屬和堿土金屬外，差不多整個材料均能形成纏繞膜。此方法適用于隔緣膜、硬質纏繞膜等特定功能機用纏繞膜的沉積。

　　2、真空熱鍵法

　　真空熱鍵法是在真空中對電鍍材料進行加熱和蒸發，使蒸發后的原子或原子團以較低的溫度沉淀在基體上形成纏繞膜。

　　加熱電鍍的主要方法是電加熱（電阻加熱）和電子束加熱（EBH），用于高熔點金屬，為了阻止高溫熱源的燃燒和涂層、機用纏繞膜的氧化，在s蒸發室定要抽真空，電阻加熱法成本低，操作方便，大多應用于銅、鎳、金、銀等材料的包裝膜，電子加熱法主要用于制備半導體工業要求純度較高的纏繞膜，相主要當用于半導體和集成電路導體布線用鋁膜的蒸鍍結合。

　　真空熱鍵法的優點是工藝簡單，純度較高，機用纏繞膜的厚度可控，通過遮易形成所需圖案。其缺點是，化合物的熱分解較難控制組成比，而且在低蒸氣壓下較難形成纏繞膜。主要用于表面拋光、光學、電子、化工（如保護膜、裝飾、鐘表等）。